技术要求

典型数值在27°C

氧化层厚度4000A     

辐射Vth灵敏度

辐射场= 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.25mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度 = 0.18mV/rad
(灵敏度在 1.5 krad(H₂O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

温度补偿

TVTC 6.4mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.)

线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 1.85µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 20µA
(使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压（外推） -6.9 +/- 0.3V

Vth漂移时间（秒） 1.5mV/十年

(该数据出自读写器配置强迫40µA，两个中有一个因子会增大)

氧化层击穿电压>75V

沟道漏电流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 2 pA

亚阈值斜率240 +/- 20 mV/十年

沟道电阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.84 Mohms

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